DMN2050LFDB-13和DMN2050LFDB-7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMN2050LFDB-13 DMN2050LFDB-7

描述 MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN2个N沟道 20V 3.3A

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 UDFN2020-6 uDFN-6

极性 N-CH N-CH

耗散功率 1.42 W 1.42 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 4.5A 4.5A

上升时间 8 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 389pF @10V(Vds) 389pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 730 mW 730 mW

下降时间 8 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 730 mW 1420 mW

封装 UDFN2020-6 uDFN-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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