IXFN64N50PD2和IXFN64N50PD3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFN64N50PD2 IXFN64N50PD3 APT5010JN

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 50A 4Pin SOT-227BN-CH 500V 50ATrans MOSFET N-CH 500V 48A 4Pin SOT-227

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227

安装方式 Surface Mount - Screw

引脚数 4 - 4

极性 - N-CH -

耗散功率 625W (Tc) 625W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) - 50A -

输入电容(Ciss) 11000pF @25V(Vds) 11000pF @25V(Vds) 5570pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 625W (Tc) 625W (Tc) 520000 mW

上升时间 25 ns - 25 ns

下降时间 22 ns - 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -

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