对比图
型号 BC858C-7-F BC858CE6327 BC859CLT1
描述 DIODES INC. BC858C-7-F 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 600 hFESOT-23 PNP 30V 0.1A通用晶体管 General Purpose Transistors
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3
针脚数 3 - -
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 300 mW 330 mW 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V - 420 @2mA, 5V
额定功率(Max) 300 mW - 300 mW
直流电流增益(hFE) 600 - -
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 350 mW - 300 mW
频率 - 250 MHz -
额定电压(DC) - - -30.0 V
额定电流 - - -100 mA
长度 3.05 mm - 2.9 mm
宽度 1.4 mm - 1.3 mm
高度 1 mm - 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active End of Life Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC - -
军工级 Yes - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -