IS46DR32801A-5BBLA1和IS46DR32801A-5BBLA2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS46DR32801A-5BBLA1 IS46DR32801A-5BBLA2 IS43DR32800A-5BBLI

描述 DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 256M, 1.8V, DDR2, Reduced page, 8Mx32, 200MHz @ CL3, 126 ball BGA (11mmx14mm) RoHSDRAM 256M (8Mx32) 200MHz DDR2 1.8VDDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA126, 11 X 14 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, WBGA-126

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 126 126 126

封装 WBGA-126 WBGA-126 LFBGA

位数 32 32 32

存取时间(Max) 0.6 ns 0.6 ns 0.6 ns

工作温度(Max) 95 ℃ 105 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

电源电压(Max) 1.9 V 1.9 V -

电源电压(Min) 1.7 V 1.7 V -

封装 WBGA-126 WBGA-126 LFBGA

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

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