对比图
型号 JANTX2N3879 JANTXV2N3879 2N3879
描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-213 TO-213 TO-66
耗散功率 - - 35 W
工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 35000 mW - 35000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 75 V 75 V -
最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 5V 20 @4A, 5V -
额定功率(Max) 35 W 35 W -
封装 TO-213 TO-213 TO-66
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 -
ECCN代码 - EAR99 -