BCR103和PDTC123ET,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR103 PDTC123ET,215

描述 NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital TransistorNexperia PDTC123ET,215 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 SOT-23 SOT-23-3

耗散功率 - 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @20mA, 5V

额定功率(Max) - 250 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 250 mW

针脚数 - -

极性 NPN -

集电极最大允许电流 100mA -

直流电流增益(hFE) - -

长度 - 3 mm

宽度 - 1.4 mm

高度 - 1 mm

封装 SOT-23 SOT-23-3

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅

REACH SVHC标准 - -

REACH SVHC版本 - -

ECCN代码 - EAR99

工作温度 - -

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