IRF830S和IRF830STRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF830S IRF830STRLPBF IRF830SPBF

描述 MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAKMOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAKMOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

耗散功率 3.1W (Ta), 74W (Tc) 74W (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

输入电容(Ciss) 610pF @25V(Vds) 610pF @25V(Vds) 610pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 74 W - -

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 74W (Tc) 74W (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc)

长度 10.67 mm - -

宽度 9.65 mm - -

高度 4.83 mm - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台