BSM100GAL120DLCK和FD150R12RT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSM100GAL120DLCK FD150R12RT4 BSM300GAL120DLC

描述 IGBT模块 IGBT-modulesINFINEON  FD150R12RT4  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kVTrans IGBT Module N-CH 1.2kV 625A 7Pin 62MM

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

引脚数 7 5 -

封装 34MM - 62 mm

安装方式 - Screw Screw

宽度 34 mm - 61.4 mm

封装 34MM - 62 mm

长度 - - 106.4 mm

高度 - - 30.5 mm

产品生命周期 Not Recommended Active Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

额定功率 - 790 W -

针脚数 - 5 -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 790 W 2500 W

击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V -

输入电容(Cies) - 9.3nF @25V -

额定功率(Max) - 790 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 40 ℃

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ -

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