LMBT2222ALT1G和SMMBT2222ALT3G

对比图

型号 LMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT3G KTN2222AE

描述 LMBT2222ALT1G通用晶体管 General Purpose TransistorsEPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Leshan Radio (乐山无线电) ON Semiconductor (安森美) KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -

频率 - 300 MHz -

极性 NPN NPN -

耗散功率 300 mW 0.3 W -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V -

集电极最大允许电流 600mA 0.6A -

最小电流放大倍数(hFE) 100 100 @150mA, 10V -

额定功率(Max) - 300 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW -

最大电流放大倍数(hFE) 300 - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

最小包装 3000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -