对比图
型号 APT8030JVR IXFN27N80Q IXFE39N90
描述 Trans MOSFET N-CH 800V 25A 4Pin SOT-227IXYS SEMICONDUCTOR IXFN27N80Q 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 27 A, 800 V, 320 mohm, 10 V, 4.5 VISOPLUS N-CH 900V 34A
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw - Surface Mount
引脚数 4 4 -
封装 SOT-227 SOT-227-4 ISOPLUS-227-4
额定电压(DC) 800 V - -
额定电流 25.0 A - -
输入电容 7.90 nF - -
栅电荷 510 nC - -
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 900 V
连续漏极电流(Ids) 25.0 A 27.0 A 34A
上升时间 14 ns 28 ns 68 ns
输入电容(Ciss) 6600pF @25V(Vds) 7600pF @25V(Vds) 13400pF @25V(Vds)
下降时间 8 ns 13 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 40 ℃
耗散功率(Max) 450000 mW 520W (Tc) 580W (Tc)
通道数 - - 1
漏源极电阻 - 0.32 Ω 220 mΩ
极性 - N-Channel N-CH
耗散功率 - 520 W 580 W
漏源击穿电压 - - 900 V
针脚数 - 4 -
阈值电压 - 4.5 V -
隔离电压 - 2.50 kV -
额定功率(Max) - 520 W -
封装 SOT-227 SOT-227-4 ISOPLUS-227-4
长度 - 38.2 mm 38.23 mm
宽度 - 25.07 mm 25.42 mm
高度 - 9.6 mm 9.65 mm
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
重量 - 40.0 g -