对比图
型号 CMRDM3575 TR NTUD3127CT5G
描述 CMRDM3575 系列 20V 125 mW N 沟道和P 沟道 增强模式 硅 Mosfet - SOT963小信号MOSFET 20 V 200毫安/ -180毫安，互补， 1.0× 1.0毫米SOT- 963封装 Small Signal MOSFET 20 V, 200 mA / −180 mA, Complementary, 1.0 x 1.0 mm SOT−963 Package
数据手册 --
制造商 Central Semiconductor ON Semiconductor (安森美)
分类 晶体管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-963 SOT-963-6
耗散功率 125 mW 125 mW
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
输入电容(Ciss) 9pF @15V(Vds) 9pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 125 mW 125 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ 55 ℃
通道数 - 2
极性 - N+P
漏源击穿电压 - 20 V
连续漏极电流(Ids) - 0.016A/0.14A
封装 SOT-963 SOT-963-6
长度 - 1 mm
宽度 - 0.8 mm
高度 - 0.37 mm
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99