对比图
型号 SIE726DF-T1-E3 SIE726DF-T1-GE3 SIRA02DP-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAKMOSFET N-CH 30V 60A POLARPAKSemiconcuctor, Mosfet; TrenchFET; N-Channel; 30V; 50A; 2mohm @ 10V; PowerPAK SO-8
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 PolarPAK-10 PolarPAK-10 SO-8
引脚数 - - 8
耗散功率 5.2W (Ta), 125W (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) 32 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 7400pF @15V(Vds) 7400pF @15V(Vds) 6150pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) 5.2W (Ta), 125W (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc)
漏源极电阻 - - 0.0027 Ω
极性 - - N-Channel
阈值电压 - - 1.1 V
输入电容 - - 6150pF @15V
漏源击穿电压 - - 30 V
热阻 - - 2.5℃/W (RθJC)
下降时间 - - 16 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 PolarPAK-10 PolarPAK-10 SO-8
长度 - - 5.99 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free