IS61QDB22M18-250M3和IS61QDB22M18-250M3L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61QDB22M18-250M3 IS61QDB22M18-250M3L IS61QDB22M18A-250M3LI

描述 SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165Pin FBGADDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165Pin FBGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 BGA-165 FBGA-165 FBGA-165

电源电压(DC) 1.80 V, 1.89 V (max) 1.80 V, 1.89 V (max) -

时钟频率 250MHz (max) 250MHz (max) -

位数 18 18 18

存取时间 4 ns 0.45 ns 0.45 ns

内存容量 36000000 B 36000000 B -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 40 ℃

电源电压 1.71V ~ 1.89V 1.71V ~ 1.89V 1.71V ~ 1.89V

电源电压(Max) 1.89 V - 1.9 V

电源电压(Min) 1.71 V - 1.7 V

供电电流 - 700 mA 950 mA

封装 BGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 - EAR99 -

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