对比图
型号 NSBC143ZPDXV6T1G PEMD9,115 PEMH15,115
描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsNXP PEMD9,115 单晶体管 双极, BRT, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 100 mA, 100 hFESOT-666 NPN 50V 100mA
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SOT-563-6 SOT-666 SOT-666-6
极性 NPN+PNP NPN, PNP NPN
耗散功率 0.5 W 300 mW 300 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 100 @5mA, 5V 30 @10mA, 5V
额定功率(Max) 500 mW 300 mW 300 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 500 mW 300 mW 300 mW
针脚数 - 6 -
直流电流增益(hFE) - 100 -
额定电压(DC) 50.0 V - -
额定电流 100 mA - -
高度 - 0.6 mm 0.6 mm
封装 SOT-563-6 SOT-666 SOT-666-6
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -