NSS1C201LT1G和NSV1C201LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NSS1C201LT1G NSV1C201LT1G FMMT493TA

描述 ON SEMICONDUCTOR  NSS1C201LT1G  Bipolar (BJT) Single Transistor, AEC-Q101, NPN, 100 V, 110 MHz, 490 mW, 2 A, 40 hFE 新单晶体管 双极, NPN, 100 V, 110 MHz, 710 mW, 2 A, 40 hFE三极管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 110 MHz 110 MHz 150 MHz

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 1.00 A

额定功率 - - 0.5 W

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 490 mW 710 mW 0.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 3A 3A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 120 @500mA, 2V 120 @500mA, 2V 100 @250mA, 10V

额定功率(Max) 490 mW 490 mW 500 mW

直流电流增益(hFE) 40 40 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 710 mW 710 mW 500 mW

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

针脚数 3 3 -

增益频宽积 110 MHz - -

最大电流放大倍数(hFE) 360 360 @500mA, 2V -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 3.04 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 1.11 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -

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