KSD1221OTU和KSD1221YTU

对比图

型号 KSD1221OTU KSD1221YTU KSD1221

描述 Trans GP BJT NPN 60V 3A 3Pin(3+Tab) IPAK RailTrans GP BJT NPN 60V 3A 3Pin(3+Tab) IPAK RailSmall Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, IPAK-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Samsung (三星)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-251-3 TO-251-3 -

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 3.00 A 3.00 A -

极性 NPN NPN -

耗散功率 15 W - -

增益频宽积 3 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -

集电极最大允许电流 3A 3A -

最小电流放大倍数(hFE) 60 @500mA, 5V 100 @500mA, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) 300 - -

额定功率(Max) 1 W 1 W -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

长度 6.6 mm - -

宽度 2.3 mm - -

高度 6.1 mm - -

封装 TO-251-3 TO-251-3 -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -