对比图
型号 IRFR2905ZTRPBF STD60NF55LT4 STD70N6F3
描述 Trans MOSFET N-CH 55V 59A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTMICROELECTRONICS STD60NF55LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 12 mohm, 10 V, 2 VSTD70N6F3 系列 60 V 10.5 mOhm N 沟道 STripFET™ III 功率 MOSFET - TO-252
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
耗散功率 110 W 110 W 110 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V
输入电容(Ciss) 1380pF @25V(Vds) 1950pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 110 W 110 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 100W (Tc) 110W (Tc)
额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V -
额定电流 42.0 A 60.0 A -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 14.5 mΩ 0.012 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
阈值电压 4 V 2 V -
漏源击穿电压 - 55.0 V -
栅源击穿电压 - ±15.0 V -
连续漏极电流(Ids) 59.0 A 30.0 A -
上升时间 66.0 ns 180 ns -
下降时间 - 35 ns -
通道数 1 - -
输入电容 1380pF @25V - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.73 mm 6.6 mm -
宽度 - 6.2 mm -
高度 2.26 mm 2.4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -
ECCN代码 - EAR99 -