IRFSL4410ZPBF和SL-4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFSL4410ZPBF SL-4 IRFSL4410PBF

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 97 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 4 VPower Field-Effect Transistor, 97A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PINTO-262 N-CH 100V 88A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-262-3 - TO-262-3

额定功率 230 W - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0072 Ω - -

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 230 W - 200W (Tc)

阈值电压 4 V - -

输入电容 4820 pF - -

漏源极电压(Vds) 100 V - 100 V

连续漏极电流(Ids) 97A - 88A

上升时间 52 ns - 80 ns

输入电容(Ciss) 4820pF @50V(Vds) - 5150pF @50V(Vds)

下降时间 57 ns - 50 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 230W (Tc) - 200W (Tc)

产品系列 - - IRFSL4410

额定功率(Max) - - 200 W

封装 TO-262-3 - TO-262-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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