对比图
型号 IXFK30N100Q2 IXTB30N100L IXTN30N100L
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFK30N100Q2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 1 kV, 400 mohm, 10 V, 5 VPLUS N-CH 1000V 30AIXTN 系列 单 N沟道 1000 V 450 mOhm 800 W 功率 Mosfet - SOT-227B
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Chassis
引脚数 3 3 4
封装 TO-264-3 TO-264-3 SOT-227-4
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.4 Ω - -
极性 N-Channel N-CH -
耗散功率 735 W 800 W 800 W
阈值电压 5 V - -
漏源极电压(Vds) 1 kV 1000 V 1000 V
连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30A -
上升时间 14 ns 70 ns 70 ns
输入电容(Ciss) 8200pF @25V(Vds) 13200pF @25V(Vds) 13700pF @25V(Vds)
下降时间 10 ns 78 ns 78 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 735W (Tc) 800W (Tc) 800W (Tc)
通道数 - - 1
额定功率(Max) - - 800 W
封装 TO-264-3 TO-264-3 SOT-227-4
宽度 - - 25.07 mm
重量 10.0 mg - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -