对比图
型号 IS42S16160G-7TLI IS42S16160G-7TLI-TR IS42S16160D-7TLI
描述 RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS42S16160D-7TLI 存储芯片, SDRAM, IND, 16M X 16, 3V, 54TSOP2
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 54 54 54
封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54
供电电流 130 mA 130 mA 130 mA
位数 16 16 -
存取时间 7 ns 5.4 ns 5.4 ns
存取时间(Max) 5.4 ns 5.4 ns -
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V
针脚数 54 - 54
时钟频率 143 MHz - -
频率 - - 143 MHz
电源电压(Max) - - 3.6 V
电源电压(Min) - - 3 V
封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54
长度 22.42 mm - 22.42 mm
宽度 10.29 mm - 10.29 mm
高度 1.05 mm - 1.05 mm
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Design
包装方式 Each Tape & Reel (TR) Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 -