对比图
型号 IRF9240E JANTXV2N6806 IRF9230
描述 Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA,TO-3P-CH 200V 6.5AINFINEON IRF9230 晶体管, MOSFET, P沟道, 6.5 A, -200 V, 800 mohm, -10 V, -4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
封装 - TO-3 TO-3
引脚数 - - 3
极性 - P-CH -
漏源极电压(Vds) - 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) - 6.5A -
针脚数 - - 2
漏源极电阻 - - 0.8 Ω
耗散功率 - - 75 W
阈值电压 - - 4 V
输入电容(Ciss) - - 700pF @25V(Vds)
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 75000 mW
封装 - TO-3 TO-3
产品生命周期 Active Active Active
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - - Lead Free