IXFT21N50F和IXFT24N50Q

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFT21N50F IXFT24N50Q APT5022AVR

描述 TO-268 N-CH 500V 21ATrans MOSFET N-CH 500V 24A 3Pin(2+Tab) TO-268POWER MOS V 500V 21A 0.22Ω

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Advanced Power Technology

分类 MOS管

基础参数对比

封装 TO-268-3 TO-268-3 -

安装方式 - Surface Mount -

极性 N-CH - -

耗散功率 300 W 300W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V -

连续漏极电流(Ids) 21A - -

上升时间 12 ns - -

下降时间 7.7 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

输入电容(Ciss) - 3900pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) - 300W (Tc) -

长度 16.05 mm - -

宽度 14 mm - -

高度 5.1 mm - -

封装 TO-268-3 TO-268-3 -

产品生命周期 Active Not Recommended Obsolete

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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