对比图
型号 FM25V02-DG FM25V02-DGTR FM25V02A-DG
描述 CYPRESS SEMICONDUCTOR FM25V02-DG 芯片, 存储器, FRAM, 512K, SPI, 8TDFN256Kb的3V串行F-RAM存储器 256Kb Serial 3V F-RAM MemoryF-RAM，Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 TDFN-8 TDFN-8 DFN-8
针脚数 8 - 8
时钟频率 - - 40 MHz
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 2V ~ 3.6V 2V ~ 3.6V 2V ~ 3.6V
电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V
电源电压(Min) 2 V - 2 V
电源电压(DC) 2.00V (min) - -
供电电流 2.5 mA - -
内存容量 32000 B - -
存取时间(Max) 9 ns 9 ns -
长度 - - 4 mm
宽度 - - 4.5 mm
高度 0.75 mm 0.75 mm 0.7 mm
封装 TDFN-8 TDFN-8 DFN-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 - - EAR99