对比图
型号 BUZ346 IRFP054NPBF HUF75343G3
描述 SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。75A ， 55V ， 0.009 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.009 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
数据手册 ---
制造商 Siemens Semiconductor (西门子) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
封装 - TO-247-3 TO-247-3
引脚数 - 3 -
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 75.0 A
漏源极电阻 - 0.012 Ω 9.50 mΩ
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - 130 W 270W (Tc)
漏源极电压(Vds) - 55 V 55 V
漏源击穿电压 - 55 V 55.0 V
栅源击穿电压 - - ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) - 81A 75.0 A
输入电容(Ciss) - 2900pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 170 W 270 W
耗散功率(Max) - 170W (Tc) 270W (Tc)
额定功率 - 130 W -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 4 V -
输入电容 - 2900 pF -
上升时间 - 66 ns -
下降时间 - 46 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
封装 - TO-247-3 TO-247-3
长度 - 15.9 mm -
宽度 - 5.3 mm -
高度 - 20.3 mm -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -