对比图
型号 ATF-54143-BLKG ATF-54143-TR1 ATF-54143-TR1G
描述 N 通道 HEMT，Avago Technologies高电子迁移率晶体管（HEMT，也称为异质结构或异质结 FET）是结型 FET，利用两种材料，具有不同带隙（即异质结），用作 MOSFET 中替换掺杂区的通道。 HEMT 晶体管具有良好的高频率特性且通常用于小信号、低噪声 RF 应用。 HEMT、HFET、HJ-FET 和 MODFET 是用于描述此类型晶体管的所有术语。 pHEMT 或假同晶 HEMT 是基本 HEMT 晶体管类型的变型，具有 E-pHEMT 设备，正成为增强模式类型。### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。IC TRANS E-PHEMT 2GHz SOT-343BROADCOM LIMITED ATF-54143-TR1G 晶体管, 射频FET, 5 V, 120 mA, 725 mW, 450 MHz, 6 GHz, SOT-343
数据手册 ---
制造商 Broadcom (博通) AVAGO Technologies (安华高科) Broadcom (博通)
分类 晶体管晶体管JFET晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 - 4
封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343
频率 2 GHz 2 GHz 2 GHz
额定电流 120 mA 120 mA 120 mA
耗散功率 725 mW 725 mW 725 mW
漏源击穿电压 5 V - -
栅源击穿电压 ±5 V - -
输出功率 20.4 dBm 20.4 dBm 20.4 dBm
增益 16.6 dB 16.6 dB 16.6 dB
测试电流 60 mA 60 mA 60 mA
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
额定电压 5 V - 5 V
针脚数 - - 4
漏源极电压(Vds) - - 5 V
耗散功率(Max) - - 725 mW
额定电压(DC) - 5.00 V -
长度 2.25 mm - -
宽度 1.35 mm - -
高度 1 mm - 1 mm
封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343
产品生命周期 Last Time Buy Unknown Active
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17