BC636和BC636BU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC636 BC636BU

描述 0.8W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 1A Ic, 40 - 250 hFTrans GP BJT PNP 45V 1A 3Pin TO-92 Bulk

数据手册 --

制造商 Continental Device Fairchild (飞兆/仙童)

分类 晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

封装 TO-92 TO-226-3

极性 - PNP

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V

集电极最大允许电流 - 1A

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) - 1 W

封装 TO-92 TO-226-3

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅

ECCN代码 - EAR99

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