对比图
型号 BUZ346 HUF75344G3 HUF75343G3
描述 SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。75A ， 55V ， 0.009 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.009 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
数据手册 ---
制造商 Siemens Semiconductor (西门子) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 -
封装 - TO-247-3 TO-247-3
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.0065 Ω 9.50 mΩ
耗散功率 - 285 W 270W (Tc)
阈值电压 - 4 V -
漏源极电压(Vds) - 55 V 55 V
上升时间 - 125 ns -
输入电容(Ciss) - 3200pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 285 W 270 W
下降时间 - 57 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 285 W 270W (Tc)
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 75.0 A
极性 - - N-Channel
漏源击穿电压 - - 55.0 V
栅源击穿电压 - - ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) - - 75.0 A
长度 - 15.87 mm -
宽度 - 4.82 mm -
高度 - 20.82 mm -
封装 - TO-247-3 TO-247-3
材质 - Silicon -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 - Rail, Tube Tube
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free