BD675和BD675AS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD675 BD675AS BD675AG

描述 达林顿功率晶体管NPN硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN SILICONTrans Darlington NPN 45V 4A 40000mW 3Pin(3+Tab) TO-126 BagNPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

耗散功率 - 40000 mW 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

最小电流放大倍数(hFE) 750 @1.5A, 3V 750 @2A, 3V 750 @2A, 3V

额定功率(Max) 40 W 40 W 40 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 40000 mW 40000 mW

额定电压(DC) 45.0 V - 45.0 V

额定电流 4.00 A - 4.00 A

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 - - 3

极性 NPN - NPN

增益频宽积 - - 1 MHz

集电极最大允许电流 4A - 4A

直流电流增益(hFE) - - 750

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

长度 - - 7.74 mm

宽度 - - 2.66 mm

高度 - - 11.04 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Bulk Bag Bulk

最小包装 500 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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