对比图
型号 CY7C1418AV18-200BZXC CY7C1418BV18-250BZI CY7C1418BV18-250BZC
描述 36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片存储芯片存储芯片
引脚数 - 165 165
封装 FBGA FBGA-165 LBGA-165
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃
电源电压 - 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
电源电压(DC) 1.80 V, 1.90 V (max) - -
时钟频率 200MHz (max) - -
存取时间 0.45 ns - -
内存容量 36000000 B - -
位数 - 18 -
存取时间(Max) - 0.45 ns -
高度 - 0.89 mm 0.89 mm
封装 FBGA FBGA-165 LBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray, Bulk Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead