对比图
型号 NTB35N15T4G PSMN035-150B,118 NTB35N15G
描述 N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorPSMN 系列 150 V 35 mΩ 250 W N沟道 增强模式 晶体管 - SOT-40437A,150V功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 3 - 3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 178 W 250 W 2 W
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) 37.0 A 50.0 A 37.0 A
上升时间 125 ns 138 ns 125 ns
输入电容(Ciss) 3200pF @25V(Vds) 4720pF @25V(Vds) 3200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 250 W 2 W
下降时间 120 ns 93 ns 120 ns
耗散功率(Max) 2 W 250W (Tc) 2 W
额定电压(DC) 150 V - 150 V
额定电流 37.0 A - 37.0 A
漏源极电阻 0.05 Ω - 50.0 mΩ
输入电容 - - 3.20 nF
栅电荷 - - 100 nC
漏源击穿电压 150 V - 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
针脚数 3 - -
阈值电压 2.9 V - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 9.65 mm - -
宽度 10.29 mm - -
高度 4.83 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -