FDT458P和NTF5P03T3G

对比图

型号 FDT458P NTF5P03T3G BSP250,135

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDT458P  晶体管, MOSFET, P沟道, 3.4 A, -30 V, 0.105 ohm, -10 V, -1.8 VON SEMICONDUCTOR  NTF5P03T3G  晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -30 V, 100 mohm, 10 V, -1.75 VBSP 系列 -30 V 250 mΩ 5 W P沟道 增强模式 D-MOS 晶体管 SOT-223

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 4 3

封装 SOT-223-4 TO-261-4 TO-261-4

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -

额定电流 -3.40 A -5.20 A -

针脚数 3 4 -

漏源极电阻 0.105 Ω 0.1 Ω -

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 3 W 3.13 W 1.65 W

输入电容 205 pF - -

栅电荷 2.50 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 3.40 A 5.20 A, 5.00 A 3A

上升时间 12.5 ns 33.0 ns -

输入电容(Ciss) 205pF @15V(Vds) 950pF @25V(Vds) 250pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 1.1 W 1.56 W 1.65 W

下降时间 2 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3W (Ta) 1.56W (Ta) 1.65W (Ta)

通道数 - 1 1

阈值电压 - 1.75 V -

长度 6.5 mm 6.7 mm -

宽度 3.56 mm 3.7 mm 3.7 mm

高度 1.6 mm 1.65 mm -

封装 SOT-223-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2016/06/20 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -