1N5237B和TC1N5237B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5237B TC1N5237B 1N5237BRA1

描述 8.2V 0.5W(1/2W)DO-35 8.2V 0.5W(1/2W)DO-35 8.2V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) TAK Cheong TAK Cheong

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

耗散功率 - 500 mW 500 mW

稳压值 - 8.2 V 8.2 V

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

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