LM385BDE4-1-2和LM385BDR-1-2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM385BDE4-1-2 LM385BDR-1-2 LM385BD-1.2G

描述 并联 20mATEXAS INSTRUMENTS  LM385BDR-1-2  芯片, 电压基准, 1.235VON SEMICONDUCTOR  LM385BD-1.2G  电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM385B系列, 1.235V, NSOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电流 - - 10.0 A

容差 ±1 % ±1 % ±1 %

无卤素状态 - - Halogen Free

输出电压 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流 20 mA 20 mA 20 mA

通道数 1 1 1

针脚数 - 8 8

输出电压(Max) 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电压(Min) 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流(Max) - 20 mA 20 mA

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

精度 ±1 % ±1 % 1 %

供电电流 - 20.0 mA -

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.91 mm 4 mm

高度 - 1.58 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

温度系数 ±20 ppm/℃ ±20 ppm/℃ ±80 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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