2SC3467E和KSC2001

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SC3467E KSC2001 BC167

描述 Trans GP BJT NPN 200V 0.1A 3Pin Case MPNPN SILICON TRANSISTOR(GENERAL PURPOSE APPLICATIONS HIGH TOTAL POWER DISIPATION) PT = 600mWW General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, A Ic, - hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Samsung (三星) Continental Device

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

引脚数 3 - -

封装 TO-92 TO-92 -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 1000 mW - -

封装 TO-92 TO-92 -

材质 Silicon - -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

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