BSP149和BSP149E6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP149 BSP149E6327 149H

描述 INFINEON  BSP149  晶体管, MOSFET, N沟道, 480 mA, 200 V, 3.5 ohm, 10 V, -1.4 VPower Field-Effect Transistor, 0.48A I(D), 200V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PINPower Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 4 4 -

封装 SOT-223 SOT-223 -

针脚数 4 - -

漏源极电阻 3.5 Ω - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 1.8 W - -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 480 mA 140 mA -

上升时间 3.4 ns 3.4 ns -

输入电容(Ciss) 326pF @25V(Vds) 326pF @25V(Vds) -

下降时间 3.4 ns 21 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 1.8 W 1800 mW -

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 140 mA -

输入电容 - 430 pF -

栅电荷 - 14.0 nC -

长度 6.5 mm - -

宽度 3.5 mm - -

高度 1.6 mm - -

封装 SOT-223 SOT-223 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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