对比图
型号 BSP149 BSP149E6327 149H
描述 INFINEON BSP149 晶体管, MOSFET, N沟道, 480 mA, 200 V, 3.5 ohm, 10 V, -1.4 VPower Field-Effect Transistor, 0.48A I(D), 200V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PINPower Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 4 4 -
封装 SOT-223 SOT-223 -
针脚数 4 - -
漏源极电阻 3.5 Ω - -
极性 N-Channel - -
耗散功率 1.8 W - -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -
连续漏极电流(Ids) 480 mA 140 mA -
上升时间 3.4 ns 3.4 ns -
输入电容(Ciss) 326pF @25V(Vds) 326pF @25V(Vds) -
下降时间 3.4 ns 21 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
工作结温(Max) 150 ℃ - -
耗散功率(Max) 1.8 W 1800 mW -
额定电压(DC) - 200 V -
额定电流 - 140 mA -
输入电容 - 430 pF -
栅电荷 - 14.0 nC -
长度 6.5 mm - -
宽度 3.5 mm - -
高度 1.6 mm - -
封装 SOT-223 SOT-223 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -