CY7C1412BV18-250BZC和CY7C1414BV18-200BZC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1412BV18-250BZC CY7C1414BV18-200BZC CY7C1412BV18-250BZXC

描述 36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

存取时间 - 0.45 ns -

高度 0.89 mm 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

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