对比图
型号 IXTA3N60P IXTY3N60P IXTP3N60P
描述 Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3Pin(2+Tab) TO-263Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3Pin(2+Tab) DPAKIXYS SEMICONDUCTOR IXTP3N60P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 600 V, 2.9 ohm, 10 V, 5.5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 3.00 A 3.00 A 3.00 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 2.9 Ω
极性 - - N-Channel
耗散功率 70W (Tc) 70W (Tc) 70 W
阈值电压 - 5.5 V 5.5 V
输入电容 411 pF 411 pF 411 pF
栅电荷 9.80 nC 9.80 nC 9.80 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 3.00 A 3.00 A 3.00 A
上升时间 - 25 ns 25 ns
反向恢复时间 - - 500 ns
输入电容(Ciss) 411pF @25V(Vds) 411pF @25V(Vds) 411pF @25V(Vds)
下降时间 - 22 ns 22 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc)
额定功率(Max) - 70 W -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - -