对比图
型号 IS43DR16160A-3DBI IS43DR16160B-3DBLI
描述 DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.5MM, 1.2MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, TWBGA-84INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS43DR16160B-3DBLI 芯片, 存储器, SDRAM, DDR2, 256MB, 1.8V, 84BGA
数据手册 --
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 84 84
封装 BGA-84 BGA-84
供电电流 330 mA 250 mA
针脚数 - 84
位数 16 16
存取时间 - 450 ps
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 95 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
封装 BGA-84 BGA-84
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tray Each
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99