FQT7N10LTF和PHT6NQ10T

对比图

型号 FQT7N10LTF PHT6NQ10T FQT7N10L99Z

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQT7N10LTF  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 100 V, 275 mohm, 10 V, 2 VNXP  PHT6NQ10T  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 90 mohm, 10 V, 3 VPower Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 4 4 -

封装 TO-261-4 SOT-223 -

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 1.70 A - -

针脚数 4 4 -

漏源极电阻 275 mΩ 90 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 2 W 8.3 W -

阈值电压 2 V 3 V -

输入电容 220 pF - -

栅电荷 4.60 nC - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

漏源击穿电压 100 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 1.70 A, 1.70 mA - -

上升时间 100 ns - -

输入电容(Ciss) 290pF @25V(Vds) - -

额定功率(Max) 2 W - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 2W (Tc) - -

长度 6.5 mm - -

宽度 3.56 mm - -

高度 1.6 mm - -

封装 TO-261-4 SOT-223 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -