对比图
型号 STP200NF04 BUK652R3-40C,127 IRF2804PBF
描述 N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTO-220AB N-CH 40V 120AN沟道,40V,75A,2mΩ@10V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 3 - 3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 310 W 306 W 330 W
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 120 A 120A 270 A
输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 15100pF @25V(Vds) 6450pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 310 W 306 W 300 W
耗散功率(Max) 310W (Tc) 306W (Tc) 330000 mW
额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V
额定电流 120 A - 75.0 A
通道数 1 - 1
漏源极电阻 0.0033 Ω - 2.3 mΩ
产品系列 - - IRF2804
输入电容 - - 6450pF @25V
漏源击穿电压 40.0 V - 40 V
上升时间 320 ns - 120 ns
下降时间 120 ns - 130 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
针脚数 3 - -
阈值电压 4 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.4 mm - 10.66 mm
宽度 4.6 mm - 4.4 mm
高度 15.75 mm - 9.02 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Rail, Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -