对比图
型号 NJL3281D NJL3281DG
描述 补充ThermalTrak晶体管 Complementary ThermalTrak TransistorsON SEMICONDUCTOR NJL3281DG 单晶体管 双极, NPN, 260 VDC, 30 MHz, 200 W, 15 A, 45 hFE 新
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-264-5 TO-264-5
引脚数 - 5
额定电压(DC) 260 V 260 V
额定电流 25.0 A 15.0 A
极性 NPN NPN
耗散功率 200 W 200 W
增益频宽积 30 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) 260 V 260 V
集电极最大允许电流 15A 15A
最小电流放大倍数(hFE) 75 @5A, 5V 75
额定功率(Max) 200 W 200 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃
频率 - 30 MHz
针脚数 - 5
最大电流放大倍数(hFE) - 150
直流电流增益(hFE) - 45
耗散功率(Max) - 200000 mW
长度 19.89 mm 19.89 mm
宽度 4.89 mm 4.89 mm
高度 25.98 mm 25.98 mm
封装 TO-264-5 TO-264-5
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99