对比图
型号 FQU10N20TU IRFU230A FQU10N20CTU
描述 N沟道 200V 7.6A先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFETTrans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3Pin(3+Tab) IPAK Rail
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 - - 3
封装 TO-251-3 - TO-251-3
额定电压(DC) 200 V - 200 V
额定电流 7.60 A - 7.80 A
通道数 1 - 1
漏源极电阻 360 mΩ - 360 mΩ
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 2.5 W - 50 W
漏源极电压(Vds) 200 V - 200 V
漏源击穿电压 200 V - 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 7.60 A - 7.80 A
上升时间 90 ns - 92 ns
输入电容(Ciss) 670pF @25V(Vds) - 510pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W - 50 W
下降时间 50 ns - 72 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 51W (Tc) - 50W (Tc)
长度 6.8 mm - 6.8 mm
宽度 2.5 mm - 2.5 mm
高度 6.3 mm - 6.3 mm
封装 TO-251-3 - TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
ECCN代码 EAR99 - EAR99