对比图
型号 V60100P-E3/45 V60100PW-M3/4W
描述 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.456 V在IF = 10 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.456 V at IF = 10 ATMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，30A 至 80A，Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 二极管阵列二极管阵列
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-3-3 TO-3-3
引脚数 - 3
正向电压 790mV @30A 0.86 V
正向电流 - 30 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） - 350 A
正向电压(Max) - 860mV @30A
正向电流(Max) - 60 A
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃
封装 TO-3-3 TO-3-3
长度 - 16.38 mm
宽度 - 4.45 mm
高度 - 21.34 mm
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
工作温度 - 40℃ ~ 150℃