对比图
描述 SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode FREDFET)SIPMOS大功率晶体管（N沟道增强型雪崩额定） SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)VISHAY SILICONIX IRF830PBF 场效应管, MOSFET, N沟道
数据手册 ---
制造商 Siemens Semiconductor (西门子) Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix
分类 MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
封装 - TO-220 TO-220-3
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 1.5 Ω
耗散功率 - - 74 W
阈值电压 - - 4 V
漏源极电压(Vds) - 500 V 500 V
上升时间 - - 16 ns
输入电容(Ciss) - - 610pF @25V(Vds)
下降时间 - - 16 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - 55 ℃
耗散功率(Max) - - 74W (Tc)
极性 - N-CH -
连续漏极电流(Ids) - 4.5A -
封装 - TO-220 TO-220-3
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 - - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free