BSM300GAR120DLC和FD200R12KE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSM300GAR120DLC FD200R12KE3 BSM300GAL120DLC

描述 IGBT Transistors 1200V 300A DUAL62毫米C系列模块,带沟槽/场终止IGBT3和EMCON高效率二极管 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diodeTrans IGBT Module N-CH 1.2kV 625A 7Pin 62MM

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 - Screw Screw

引脚数 - 5 -

封装 IS6a ( 62 mm )-5 62MM-1 62 mm

额定功率 - 1040 W -

耗散功率 2500 W - 2500 W

工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ - 40 ℃

长度 106.4 mm 106.4 mm 106.4 mm

宽度 61.4 mm 61.4 mm 61.4 mm

高度 30.9 mm 30.9 mm 30.5 mm

封装 IS6a ( 62 mm )-5 62MM-1 62 mm

工作温度 - -40℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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