对比图
型号 FDP18N50 IXFP3N80 SPP04N80C3
描述 FDP18N50 系列 500 V 265 mOhm 法兰安装 N沟道 MOSFET - TO-220-3TO-220 N-CH 800V 3.6AInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
安装方式 - Through Hole Through Hole
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.265 Ω - 1.1 Ω
耗散功率 235 W 100W (Tc) 63 W
阈值电压 5 V - 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 800 V 800 V
上升时间 165 ns - 15 ns
输入电容(Ciss) 2860pF @25V(Vds) 685pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 235 W - 63 W
下降时间 90 ns - 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 235000 mW 100W (Tc) 63W (Tc)
额定电压(DC) - - 800 V
额定电流 - - 4.00 A
额定功率 - - 63 W
通道数 - - 1
极性 - N-CH N-Channel
漏源击穿电压 - - 800 V
连续漏极电流(Ids) - 3.6A 4.00 A
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - - 10 mm
宽度 - - 4.4 mm
高度 - - 15.65 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended Obsolete
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17