KSH112ITU和MJD112-1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH112ITU MJD112-1G

描述 Trans Darlington NPN 100V 2A 3Pin(3+Tab) IPAK RailON SEMICONDUCTOR  MJD112-1G  晶体管, NPN

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-251-3 TO-251-3

额定电压(DC) 100 V 100 V

额定电流 2.00 A 2.00 A

无卤素状态 - Halogen Free

针脚数 - 3

极性 NPN NPN

耗散功率 1750 mW 20 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V

集电极最大允许电流 2A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @2A, 3V 1000 @2A, 3V

最大电流放大倍数(hFE) - 12000

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W

直流电流增益(hFE) - 12000

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

增益带宽 25MHz (Min) 25MHz (Min)

耗散功率(Max) 1750 mW 20 W

长度 - 6.73 mm

宽度 - 2.38 mm

高度 6.1 mm 6.35 mm

封装 TO-251-3 TO-251-3

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Rail Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

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