对比图
型号 0603N330F500CT CBR06C330F5GAC 0603Y0500330FCT
描述 33pF(33R0) ±1% 50V 编带射频电容, C0G / NP0, 33 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 1%, 125 °C, 0603 [1608公制]Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 1% +Tol, 1% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.000033uF, Surface Mount, 0603, CHIP
数据手册 ---
制造商 Walsin Technology (台湾华科) KEMET Corporation (基美) Syfer Technology
分类 电容电容
安装方式 - Surface Mount -
封装(公制) 1608 1608 -
封装 0603 0603 -
电容 33 pF 33 pF -
容差 ±1 % ±1 % -
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
额定电压 - 50 V -
额定电压(DC) 50 V - -
长度 1.6 mm 1.60 mm -
宽度 0.8 mm 0.80 mm -
高度 0.8 mm 0.8 mm -
封装(公制) 1608 1608 -
封装 0603 0603 -
工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -
材质 NP0/-55℃~+125℃ - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -