对比图
型号 IRF3709SPBF STB80NF03L-04T4 IRF3709STRLPBF
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3709SPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 90A, D2-PAK 新N沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFETINFINEON IRF3709STRLPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 90A, 30V, 3.1W
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 90.0 A 80.0 A -
通道数 1 1 1
漏源极电阻 9 mΩ 4.00 mΩ 10.5 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.1 W 300 W 3.1 W
输入电容 - 5500 pF 2672pF @16V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30.0 V 30 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 90.0 A 80.0 A 90A
上升时间 171 ns 270 ns 171 ns
输入电容(Ciss) 2672pF @16V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 2672pF @16V(Vds)
额定功率(Max) 3.1 W 300 W -
下降时间 - 95 ns 9.2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc)
针脚数 3 - 3
产品系列 IRF3709S - -
阈值电压 3 V - 20 V
额定功率 - - 120 W
宽度 - 9.35 mm 6.22 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
长度 - - 6.5 mm
高度 - - 2.3 mm
工作温度 - -60℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅