FQA9N90和FQA9N90_F109

对比图

型号 FQA9N90 FQA9N90_F109 IRF820-009

描述 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFETPower Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Intertechnology

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-3 TO-3-3 -

引脚数 - 3 -

漏源极电阻 1.30 Ω - -

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 240 W 240 W -

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V -

漏源击穿电压 900 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 8.60 A 8.6A -

通道数 - 1 -

上升时间 - 100 ns -

输入电容(Ciss) - 2700pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 240 W -

下降时间 - 80 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 240W (Tc) -

封装 TO-3 TO-3-3 -

高度 - 21.3 mm -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tube, Rail Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -